Η Samsung Electronics παρουσίασε τον νέο οδικό χάρτη των προηγμένων μνημών της για εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης, επιδιώκοντας να ανακτήσει την τεχνολογική πρωτοκαθεδρία απέναντι στις SK Hynix και Micron σε μια αγορά που προσεγγίζει το 1 τρισ. δολάρια.
Στο επίκεντρο των ανακοινώσεων βρίσκεται το νέο σύστημα zHBM, το οποίο τοποθετεί κάθετα μνήμες υψηλού εύρους ζώνης (HBM) πάνω στους επιταχυντές τεχνητής νοημοσύνης.
Σύμφωνα με τη Samsung, η νέα αρχιτεκτονική προσφέρει περίπου οκταπλάσια απόδοση σε σχέση με την επόμενη γενιά HBM5, ενώ επιτυγχάνει περισσότερη από δεκαπλάσια πυκνότητα μνήμης χάρη σε προηγμένη τεχνολογία συγκόλλησης πλακιδίων πυριτίου (wafer bonding). Παράλληλα, επιτρέπει την ανάπτυξη εξατομικευμένων σχεδιάσεων για διαφορετικές εφαρμογές.
Η εταιρεία ανακοίνωσε ότι η μαζική παραγωγή της μνήμης HBM4 θα ξεκινήσει το δεύτερο εξάμηνο του 2026, χωρίς ωστόσο να προσδιορίσει πότε θα είναι έτοιμες η HBM5 και οι ακόμη πιο προηγμένες τεχνολογίες που παρουσίασε.
Eπεξεργασία μεγάλου όγκου δεδομένων σε πραγματικό χρόνο
Η Samsung παρουσίασε επίσης τη νέα λύση zNAND-O, που βασίζεται στην τεχνολογία V-NAND και έχει σχεδιαστεί για εφαρμογές τεχνητής νοημοσύνης οι οποίες απαιτούν επεξεργασία μεγάλου όγκου δεδομένων σε πραγματικό χρόνο.
Παράλληλα αποκάλυψε την πρώτη αρχιτεκτονική V10 BV-NAND της βιομηχανίας, με περισσότερα από 400 επίπεδα μνήμης. Η νέα σχεδίαση αυξάνει τη χωρητικότητα αποθήκευσης σχεδόν κατά 60% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, ενώ βελτιώνει σημαντικά τις ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής.
Η κίνηση εντάσσεται στη στρατηγική της Samsung να εξελιχθεί σε ολοκληρωμένο προμηθευτή υποδομών τεχνητής νοημοσύνης, καθώς ο ανταγωνισμός για συμβόλαια με μεγάλα κέντρα δεδομένων εντείνεται.
Η έγκαιρη παρουσίαση νέων αρχιτεκτονικών μνήμης θεωρείται κρίσιμη για την εξασφάλιση σημαντικών πελατών και τη διατήρηση ανταγωνιστικού πλεονεκτήματος έναντι της SK Hynix και της αμερικανικής Micron.
